DRAM ve dökümhane hatları daha sonra yayınlanacak
Samsung, Çarşamba günü Pyeongtaek tesisindeki P3 hattında NAND flash çiplerinin seri üretimine başladı.
P3, şirketin bugüne kadarki en büyük yarı iletken üretim tesisidir ve inşaatı 2020’nin sonlarında başlamıştır.
Fabrika, Samsung’un dökümhane hizmetleri için NAND flash, DRAM ve mantık yongaları üretmek üzere tasarlanmıştır.
Güney Koreli teknoloji devi, yeni P4 hattını inşa etmek için de hazırlıklara başladığını söyledi.
Şirket, inşaatın ne zaman başlayacağına henüz karar verilmediğini, ancak Samsung’un pazar değişikliklerine tepki verebilmesi için temellerin atıldığını söyledi.
Samsung’un çip başkanı Kyung Kye-hyun P3’te gazetecilere verdiği demeçte, şirketin yarı iletken pazarının koşullarına güvenmek yerine tesislerine yatırım yapmaya devam edeceğini söyledi.
CEO, şirketin rakiplerinden her zaman bir nesil önde kaldığını ve bunun da rakip ürünlere kıyasla maliyette %10 tasarruf etmesine ve satış fiyatında %10’luk bir düşüşe olanak tanıdığını söyledi.
Kyung ayrıca, System LSI iş biriminin, en yeni Gen 1 4nm Exynos yongaları zamanında yapıldığı, ancak şirketin bunları tedarik edemediği için işlemcilerini piyasaya sunmaya odaklanmayı planladığını da söyledi.
CEO, Samsung’un SoC geliştirme ekibinin rakiplerine göre üçte bir büyüklükte olduğunu ve bu yüzden en iyi yapabileceklerine odaklanacağını söyledi.
