Samsung Pazartesi günü yaptığı açıklamada, 1Tb Gen 8 V-NAND üretimine başladığını söyledi.
Çip, bu yılın başlarında piyasaya sürülen 232 katmana sahip Micron’unkinden daha fazla olan 236 katmana sahip.
Kaynaklar, Samsung’un Gen 7 V-NAND için olduğu gibi çift yığın yöntemini kullandığını söyledi.
Teknoloji devi, 1Tb TLC(üç seviyeli hücre) Gen 8 V-NAND’ın piyasadaki en yüksek bit yoğunluğuna sahip olduğunu söyledi.
Ayrıca, 2.4Gbps veri giriş/çıkış hızına izin veren Toggle DDR 5.0 arayüzü ile birlikte gelir.
Samsung, çipin ayrıca PCIe 4.0 arayüzünü desteklediğini ve daha sonra PCIe 5.0’ı da destekleyeceğini söyledi.
NAND flash’ta Samsung, SK Hynix ve Micron arasındaki rekabet son yıllarda yoğunlaşıyor.
Bu şirketlerin çoğu, NAND çiplerinin sahip olduğu katman sayısını vurguladı.
Micron, Temmuz ayında 232 katmanlı NAND’ın seri üretimine başladı ve SK Hynix, 2023’te 238 katmanlı NAND’ın seri üretimine başlamayı planladığını söyledi.
Sektörde nispeten yeni olan Çin’in YMTC’si de Ağustos ayında kendi 232 katmanlı NAND’ını duyurdu.
Samsung, 2013’te V-NAND teknolojisini ticarileştiren ilk şirketti. V, dikey kelimesinin kısaltmasıdır ve NAND’lar, onları birbirine bağlayan bir bütünle dikey olarak istiflenir.
Teknoloji devi, Gen 7 NAND ile iki dikey olarak yığılmış NAND yığınına sahip olmaya başladı.
Ancak iki yığına sahip olmak, tek bir yığından daha iyi değildir, çünkü artık yığınları gruplamak için iki deliğe sahiptir, bu da onu veri kaybına karşı daha savunmasız hale getirir ve veri aktarım hızını etkiler.