Qualcomm’un yöneticilerinden biri Salı günü yaptığı açıklamada, yongalarını üretmek için birden fazla dökümhane kullanmaya devam edeceğini söyledi.
Qualcomm kıdemli başkan yardımcısı Don McGuire, Qualcomm’un Hawaii’de düzenlenen Snapdragon Zirvesi 2022’de yaptığı açıklamada, ABD çip devinin Samsung Foundry ile işbirliğine devam ettiğini ve ilerideki teknolojik olgunluklarına bağlı olarak Güney Koreli şirket TSMC’den GlobalFoundries’e kadar çok sayıda dökümhaneyi kullanacağını söyledi. Güney Kore basınıyla bir toplantı.
Qualcomm şu anda 4 nanometre (nm) ve 3nm yongalar için tüm iş yükünü dünyanın en büyük dökümhanesi olan TSMC’ye verdi.
McGuire’ın açıklamaları, ABD’li firmanın, gate-all-around (GAA) gibi takip düğümleri için Samsung Foundry’ye yeniden sipariş verebileceğine işaret ediyor.
Zirvede Qualcomm, en yeni uygulama işlemcisi Snapdragon 8 Gen 2’yi tanıttı.
Çip, önceki modele kıyasla 4,35 kat artırılmış yapay zeka performansı ve %25 daha hızlı işlem hızına sahiptir.
Snapdragon 8 Gen 2 ayrıca Qualcomm’un yeni GPU’sunu kullanır ve %40 performans artışı sağlayan bir CPU’ya sahiptir.
Çip, TSMC’nin 4nm düğümü kullanılarak yapılacak. Snapdragon 8 Gen 1 için, Samsung Foundry ilk sözleşmeli üreticiydi ancak Qualcomm, siparişi geçen yılın ikinci yarısında TSMC’ye verdi.
Kaynaklar, buna Samsung’un 4nm için düşük verim oranının neden olduğunu ve ABD’li çip firmasının bu nedenle TSMC’ye 3nm çip siparişi vereceğini söylemişti.
McGuire, Qualcomm’un siparişlerinin tek bir dökümhane kullanamayacak kadar büyük olduğunu ve birden fazla dökümhane kullanmanın yalnızca tedarik açısından değil, aynı zamanda fiyat ve ölçek açısından da avantajlı olduğunu söyledi.
ABD firmasının akıllı telefonların yanı sıra diğer iş alanlarında da genişlemek için birden fazla dökümhaneye ihtiyacı olduğunu da sözlerine ekledi.
Bu arada Samsung, 4nm ile verim konusunda zorluk yaşarken, 3nm GAA yongalarının üretimine ilk başlayan şirket oldu.
TSMC ayrıca 3nm çip üretimine de başladı ancak bunlar için GAA yerine FinFET yapısı kullanıyor. Tayvanlı devin 2nm’den başlayarak GAA yapısını uygulamayı planladığı bildiriliyor.