– Advertisement –
Samsung GDDR6 DRAM’e kıyasla performans ve kapasiteyi ikiye katlayan, GDDR6W olarak bilinen yeni nesil grafik belleği.
Yeni Nesil Grafik Çözümleri İçin Samsung GDDR6W Bellek Tanıtıldı: 64-Bit G/Ç, DRAM Başına 4 GB Kapasite
Gelişmiş grafik ve görüntüleme teknolojileri geliştikçe, metaverse ile günlük deneyimlerimiz arasındaki çizgileri bulanıklaştırıyorlar. Bu önemli değişimin çoğu, grafik ürünleri için tasarlanmış bellek çözümlerinin geliştirilmesiyle mümkün olmaktadır.
Yüksek Bant Genişliğine Sahip Grafik Belleği Çözümü: Hiper Gerçek Oyun ve Dijital ikizin Anahtarı Sanal gerçekliği iyileştirmenin önündeki en büyük zorluklardan biri, gerçek dünyadaki nesnelerin ve ortamların karmaşıklıklarını alıp bunları sanal bir alanda yeniden yaratmaktır.
Bunu yapmak, büyük bellek ve artırılmış bilgi işlem gücü gerektirir. Aynı zamanda, karmaşık senaryoların gerçek hayattaki simülasyonları ve daha fazlası dahil olmak üzere daha gerçekçi bir metaverse yaratmanın faydaları geniş kapsamlı olacak ve bir dizi sektörde yeniliği ateşleyecek. Sanal gerçeklikteki en popüler kavramlardan birinin arkasındaki ana fikir budur: dijital ikizler. Dijital ikiz, bir nesnenin veya alanın sanal bir temsilidir. Gerçek ortama göre gerçek zamanlı olarak güncellenen dijital ikiz, kaynağının yaşam döngüsünü kapsar ve karar vermeye yardımcı olmak için simülasyon, makine öğrenimi ve muhakeme kullanır.
Yakın zamana kadar bu, veri işleme ve aktarım üzerindeki sınırlamalar nedeniyle uygulanabilir bir teklif olmasa da, yüksek bant genişliğine sahip teknolojilerin mevcudiyeti sayesinde dijital ikizler artık ilgi görüyor. Diğer teknolojik yenilikler gibi, oyun endüstrisi de hız ve performanstaki yeni güncellemeler ile pazarı her yıl ileriye taşıyan sürekli yeniliklerle büyümektedir.
Belirli bir sahnedeki ışığın yansımasını izleyen 3B görüntülemede Işın İzleme gibi teknolojilerin geliştirilmesi sayesinde, üst düzey AAA oyunlarda grafikler hiper gerçekçi ve giderek daha sürükleyici hale geliyor. Işın izleme, gerçek zamanlı hesaplama yoluyla her bir pikselin rengini belirlemek için ışık bilgilerinin toplanmasını sağlar.
Bu tür bir hesaplama, bir oyun içi sahnenin bir saniyesi için 60 ila 140 sayfa değerinde önemli miktarda verinin neredeyse eş zamanlı olarak hesaplanmasını gerektirir.
Dahası, çözünürlükler 4K standardından 8K standardına hızla geçerken görüntü kalitesi hızla yükselirken, çerçeve arabellekleri yanıt olarak mevcut olanlardan iki kat daha fazla genişleyecek şekilde artıyor. Bu nedenle, oyunlar gelişmeye devam ederken artan bellek talebini karşılamak için yüksek kapasite ve yüksek bant genişliği şarttır.
Çerçeve arabelleği
Ekranda görünen görüntü bilgilerini geçici olarak saklayan bellek. En Son Fan-Out Gofret Düzeyinde Paketleme (FOWLP) Teknolojisine Dayalı Olarak İki Kat Kapasiteye ve Performansa Sahip “GDDR6W” Grafik Belleğinin Geliştirilmesi Yüksek performans, yüksek kapasite ve yüksek bant genişliğine sahip bellek çözümleri, sanal dünyayı gerçeklikle daha yakın hale getirmeye yardımcı oluyor.
Bu artan pazar talebini karşılamak için Samsung Electronics, endüstrinin ilk yeni nesil grafik DRAM teknolojisi olan GDDR6W’yi (x64) geliştirdi. GDDR6W, Samsung’un GDDR6 (x32) ürünlerini, Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) teknolojisini sunarak bellek bant genişliğini ve kapasitesini önemli ölçüde artırarak geliştirir.
GDDR6, lansmanından bu yana önemli gelişmeler kaydetti. Geçtiğimiz Temmuz ayında Samsung, endüstrinin en hızlı grafik DRAM’i olan 24 Gb/sn GDDR6 bellek geliştirdi. GDDR6W, GDDR6 ile aynı boyutta kalırken bu bant genişliğini (performansı) ve kapasiteyi iki katına çıkarır.
Değişmeyen ayak izi sayesinde yeni bellek yongaları, üretim süresini ve maliyetlerini azaltan FOWLP yapı ve istifleme teknolojisi kullanılarak müşterilerin GDDR6 için kullandıkları aynı üretim süreçlerine kolayca yerleştirilebilir.
Aşağıdaki resimde gösterildiği gibi, aynı boyuttaki bir pakette iki kat daha fazla bellek yongası ile donatılabildiği için, grafik DRAM kapasitesi 16Gb’den 32Gb’ye çıkarken, bant genişliği ve G/Ç sayısı ikiye katlanarak 32’den 64’e çıktı. Yani hafıza için gereken alan önceki modellere göre %50 oranında azaltılmış.
Genel olarak, bir paketin boyutu, daha fazla fiş istiflendikçe artar. Ancak bir paketin maksimum yüksekliğini sınırlayan fiziksel faktörler vardır. Dahası, yongaları istiflemek kapasiteyi artırsa da, ısı dağılımı ve performansta bir ödünleşim söz konusudur. Bu takasların üstesinden gelmek için FOWLP teknolojimizi GDDR6W’ye uyguladık.
FOWLP teknolojisi, bellek kalıbını bir PCB yerine doğrudan bir silikon levha üzerine monte eder. Bunu yaparken, çok daha ince kablolama modelleri sağlayan RDL (Yeniden dağıtım katmanı) teknolojisi uygulanır. Ek olarak, PCB içermediğinden paketin kalınlığını azaltır ve ısı dağılımını iyileştirir.
FOWLP tabanlı GDDR6W’nin yüksekliği, önceki 1,1 mm yüksekliğe sahip paketten 0,7 mm – %36 daha incedir. Çip çok katmanlı olmasına rağmen mevcut GDDR6 ile aynı termal özellikleri ve performansı sunuyor.
Ancak GDDR6’dan farklı olarak, FOWLP tabanlı GDDR6W’nin bant genişliği, tek paket başına genişletilmiş G/Ç sayesinde iki katına çıkarılabilir. Paketleme, fabrikasyon gofretlerin yarı iletken şekillere veya bağlantı tellerine kesilmesi sürecini ifade eder. Sektörde bu, ‘arka uç süreci’ olarak bilinir.
Yarı iletken endüstrisi, ön uç işlemi sırasında devreleri olabildiğince ölçeklendirmeye doğru sürekli olarak gelişirken, endüstri çip boyutlarının fiziksel sınırlarına yaklaştıkça paketleme teknolojisi giderek daha önemli hale geliyor.
Bu nedenle Samsung, GDDR6W’de 3D IC paket teknolojisini kullanıyor ve çeşitli yongaları gofret halinde istifleyerek tek bir paket oluşturuyor. Bu, GDDR6W için gelişmiş paketlemeyi daha hızlı ve daha verimli hale getirmek için planlanan birçok yenilikten biridir.
Yeni geliştirilen GDDR6W teknolojisi, sistem düzeyinde HBM düzeyindeki bant genişliğini destekleyebilir. HBM2E, 4K sistem düzeyinde G/Ç’ye dayalı olarak sistem düzeyinde 1,6 TB/sn bant genişliğine ve pin başına 3,2 Gpbs iletim hızına sahiptir.
GDDR6W ise 512 sistem seviyesi I/O’ya dayalı olarak 1,4 TB/s bant genişliği ve pin başına 22Gpbs iletim hızı üretebilir. Ayrıca GDDR6W, G/Ç sayısını HBM2E’ye kıyasla yaklaşık 1/8 oranında azalttığından, mikro tümseklerin kullanılması gerekliliğini ortadan kaldırır. Bu, aracı katmana ihtiyaç duymadan daha uygun maliyetli hale getirir.
| GDDR6W | HBM2E | |
| Sistem Seviyesi G/Ç sayısı | 512 | 4096 |
| Pin İletim Hızı | 22Gbps | 3.2 Gpb/sn |
| Sistem Seviyesi Bant Genişliği | 1,4 TB/sn | 1,6 TB/sn |
Sistem Düzeyi:
Örnek olarak grafik kartları kullanılarak, 8 paket GDDR6W ve 4 paket HBM’nin referans noktalarının ayarlanması. Samsung Electronics Bellek İş Birimi’nde Yeni İş Planlama Başkan Yardımcısı CheolMin Park, “GDDR6’ya gelişmiş bir paketleme teknolojisi uygulayarak GDDR6W, benzer boyutlu paketlere göre iki kat daha fazla bellek kapasitesi ve performans sunuyor” dedi.
GDDR6W ile, çeşitli müşteri ihtiyaçlarını karşılayabilen farklılaştırılmış bellek ürünlerini destekleyebiliyoruz – pazardaki liderliğimizi güvence altına alma yolunda büyük bir adım.”
Samsung Electronics, bu yılın ikinci çeyreğinde GDDR6W ürünleri için JEDEC standardizasyonunu tamamladı. Ayrıca, GDDR6W uygulamasını GPU ortaklarıyla işbirliği yaparak dizüstü bilgisayarlar gibi küçük form faktörlü cihazların yanı sıra yapay zeka ve HPC uygulamaları için kullanılan yeni yüksek performanslı hızlandırıcılara genişleteceğini duyurdu.
